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J-GLOBAL ID：200903062921764007

半導体装置とそのマーク形成装置,その欠陥検査装置

Inventor： 嶋瀬 朗 ,  東 淳三 ,  濱村 有一 ,  水村 通伸 ,  西村 規正 ,  渡辺 健二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999031417
Publication number (International publication number)：2000232138
Application date： Feb. 09, 1999
Publication date： Aug. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 荷電ビーム装置で欠陥検査装置で検出された半導体ウェハの欠陥をレビュー,分析するに際し、欠陥位置へのアクセスが迅速かつ的確に行なうことを可能にする。【解決手段】 欠陥検査装置で半導体ウェハ1の欠陥2の検出をするに際しては、この半導体ウェーハ1上に3個のマーク4a〜4cが形成されている。マーク4aはこの半導体ウェハ1の外周部の目視可能なノッチ3の近傍に設けられ、マーク4bはマーク4aからX軸方向のこの外周部に設けられ、マーク4cはマーク4aからY軸方向のこの外周部に設けられている。かかる半導体ウェハ1は、これらマーク4a〜4cを位置決めの基準として荷電ビーム装置にセットされる。これらマーク4a〜4cは、インクジェットやテストパターンのレーザ加工やスパッタ加工などで形成される。

Claim (excerpt)：

周辺部にオリエンテーションフラット,ノッチなどの切欠部が設けられた半導体装置において、該切欠部に対して該半導体の中心を通る方向をY方向、該Y方向に垂直な方向をX方向として、欠陥検査で検出される欠陥の位置基準マークとする第1,第2,第3のマークが設けられ、該第1のマークが該切欠部の近傍に、該第2のマークが該第1のマークに対してX方向の該周辺部に、該第3のマークが該第1のマークに対してY方向の該周辺部に夫々配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/88 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/68 ,  H01J 37/305

FI (5)：

H01L 21/66 J ,  H01L 21/02 A ,  H01L 21/68 F ,  H01J 37/305 A ,  G01N 21/88 645 A

F-Term (26)：

2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051AB07 ,  2G051AC02 ,  2G051CB01 ,  4M106AA01 ,  4M106BA03 ,  4M106CA39 ,  4M106CA42 ,  4M106DA02 ,  4M106DA05 ,  4M106DA10 ,  4M106DA15 ,  4M106DA20 ,  4M106DB18 ,  4M106DB20 ,  4M106DB30 ,  4M106DH33 ,  5C034BB06 ,  5C034BB07 ,  5C034BB09 ,  5F031CA02 ,  5F031JA31 ,  5F031JA38 ,  5F031JA50 ,  5F031MA33