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J-GLOBAL ID：200903062931111362

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 西村 宏 ,  小川 真一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995105550
Publication number (International publication number)：1996306690
Application date： Apr. 28, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高信頼性の多層配線構造を形成することを目的とする。【構成】 第1の層間絶縁膜を被覆した半導体基板上に設けられた第1の配線と、第1の配線上に形成された第2の層間絶縁膜に開口された接続孔と、接続孔に埋め込まれた、銅を含んだタングステン膜と、銅を含んだタングステン膜を介して第1の配線と接続された第2の配線とを有する。【効果】 エレクトロマイグレーションによりAl-Cu配線中のCuが移動して、接続孔近傍のCu濃度が薄くなっても、接続孔に埋め込まれたCuを含んだタングステン膜あるいはAl-Cu配線に積層されたCu膜からAl-Cu配線にCuが供給される。したがって、高いエレクトロマイグレーション耐性を有する接続孔を含む多層配線構造の形成が可能となる。

Claim (excerpt)：

第1の層間絶縁膜を被覆した半導体基板上に設けられた第1の配線と、前記第1の配線上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記第2の層間絶縁膜に開口された接続孔と、前記接続孔に埋め込まれ銅を含有するタングステン膜と、前記銅を含んだタングステン膜を介して前記第1の配線と接続された第2の配線とを有する半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 A