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J-GLOBAL ID：200903062933209637
半導体レーザ素子の冷却装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
塚本 正文 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994277079
Publication number (International publication number)：1996116138
Application date： Oct. 17, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：
【要約】【目的】 半導体レーザ素子及びレーザ光出射面の放熱,冷却が促進され、その結果大出力化のために電流量を多く流しても素子の温度上昇が少なく、効率の低下,発振波長の変化,寿命の短縮等の特性悪化を起こすことがない半導体レーザ素子の冷却装置を提供する。【構成】 透明なレーザ光出射窓6を有し、内部に半導体レーザ素子1をレーザ光3がレーザ光出射窓6を通して出射する位置に設置させた筐体5と、筐体5内部に、半導体レーザ素子1及びそのレーザ光出射面2を冷却するために、液体注入口8から注入され液体排出口9から排出されるレーザ発振波長において透明な絶縁性液体7とからなっている。
Claim (excerpt)：
透明なレーザ光出射窓を有し内部に半導体レーザ素子をレーザ光が上記レーザ光出射窓を通して出射する位置に設置させた筐体と、上記筐体内部に上記半導体レーザ素子を冷却するため注入されるレーザ発振波長において透明な絶縁性液体とからなることを特徴とする半導体レーザ素子の冷却装置。
IPC (3)：
H01S 3/18
, H01L 23/473
, H01S 3/043
H01L 23/46 Z
, H01S 3/04 S
