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J-GLOBAL ID：200903062935396701

半導体素子のボンデイング方法及び装置

Inventor： 孝橋 生郎
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 大西 孝治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991203946
Publication number (International publication number)：1993029364
Application date： Jul. 17, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体素子を基板にボンディングするための導電性接着ペーストが半導体素子の間に押し寄せられて発光部等に付着することがなく、しかも半導体素子を高精度でボンディングすることができる半導体素子のボンディング方法及び装置とする。【構成】 移動機構はコレット300 に保持された半導体素子100Bの下面110Bが既にボンディングされた半導体素子100Aの上面110Aより下方、かつ基板200 に接触しない範囲まで上下方向に動かした後に、既にボンディングされた半導体素子100Aとの間が所定の間隔になるまで水平方向に動かし、その後に半導体素子100Bが基板200 にボンディングされるまで上下方向に動かし、コレット300 は保持した半導体素子100Bの少なくとも一辺がはみ出すようになっている。

Claim (excerpt)：

半導体素子を保持するコレットと半導体素子がボンディングされるべき基板とを相対的に動かして、複数の半導体素子を所定の間隔で並べる半導体素子のボンディング方法において、コレットに保持された半導体素子の下面が既にボンディングされた半導体素子の上面より下方、かつ基板に接触しない範囲まで上下方向に動かす第1上下工程と、コレットに保持された半導体素子と既にボンディングされた半導体素子との間が所定の間隔になるまで水平方向に動かす水平工程と、コレットに保持された半導体素子が基板にボンディングされるまで上下方向に動かす第2上下工程とを有することを特徴とする半導体素子のボンディング方法。

IPC (2)：

H01L 21/52 ,  H01L 27/14