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J-GLOBAL ID：200903062948546184
歪センサ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
瀧野 秀雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993036437
Publication number (International publication number)：1994249606
Application date： Feb. 25, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：
【要約】【目的】厚さが薄くて絶縁性が優れた絶縁膜を基板と抵抗体との間に設けることにより、高性能で信頼性が高くかつ量産に適した薄型の歪センサを提供する。【構成】基材上に電気絶縁体薄膜と歪感知用電気抵抗体薄膜とを積層し、更に該歪感知用電気抵抗体薄膜の電極部の上に金属薄膜電極を積層してなる歪センサにおいて、前記電気絶縁体薄膜が酸化アルミニウムと窒化アルミニウムとの複合物層と酸化珪素層との積層体膜から形成されている歪センサで、絶縁耐圧、高温絶縁性、及び不良品の発生が少ない。
Claim (excerpt)：
基材上に電気絶縁体薄膜と歪感知用電気抵抗体薄膜とを積層し、更に該歪感知用電気抵抗体薄膜の電極部の上に金属薄膜電極を積層してなる歪センサにおいて、前記電気絶縁体薄膜が酸化アルミニウムと窒化アルミニウムとの複合物層と酸化珪素層との積層体膜から形成されていることを特徴とする歪センサ。
IPC (2)：
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