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J-GLOBAL ID：200903062953998611

半導体微粉末およびその製造法

Inventor： 原田 秀文 ,  井上 保雄 ,  山川 敏昭 ,  刈山 千里
Applicant, Patent owner： チタン工業株式会社
Agent (1)： 湯浅 恭三 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993222467
Publication number (International publication number)：1995069635
Application date： Sep. 07, 1993
Publication date： Mar. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】積層セラミックスコンデンサーと同様な製造プロセスで、積層形状の半導体セラミックスコンデンサーが製造できる半導体微粉末およびその製造法を提供すること。【構成】本発明は、粒子径が10μm以下、粉体比抵抗が500Ω・cm以下であり、粒子表面がTiO2系ペロブスカイト型化合物の還元生成物であることを特徴とするTiO2系ペロブスカイト型化合物を主成分とする半導体微粉末、およびその製造方法に関する。

Claim (excerpt)：

粒子径が10μm以下、粉体比抵抗が500Ω・cm以下であり、粒子表面がTiO2系ペロブスカイト型化合物の還元生成物であることを特徴とするTiO2系ペロブスカイト型化合物を主成分とする半導体微粉末。

IPC (3)：

C01G 23/00 ,  H01G 4/12 358 ,  C04B 35/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-264326
  
• 特開平4-119918
  
• 特開昭63-155504