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J-GLOBAL ID：200903062956036390

窒化炭素単結晶膜

Inventor： 内海 慶春 ,  今井 貴浩
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 上代 哲司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996036075
Publication number (International publication number)：1997227298
Application date： Feb. 23, 1996
Publication date： Sep. 02, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 基板上に結晶性に優れた窒化炭素単結晶膜を形成し、発光素子、高温動作素子、耐環境素子用の半導体として利用する。【解決手段】 サファイア単結晶基板を洗浄し、MOCVD法によりh-aN単結晶膜を成長させ、この基板温度を1000°Cに上昇し、バッファー層上にh-GaN膜を30分間で0.5μm成長させた。さらにこのh-GaN単結晶膜上にスパッタ法によりターゲットにグラファイトを、成膜ガスにAr+N2ガスを用い窒化炭素膜を成長さす。

Claim (excerpt)：

単結晶基板(1)上に中間層として六方晶窒化ガリウム(h-GaN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム(InN)、六方晶炭化硅素(h-SiC)、酸化亜鉛(ZnO)、あるいはこれらのなかの2種類以上の物質からなる固溶体の単結晶膜(2)が形成され、前記単結晶膜上に窒化炭素単結晶膜(3)が形成された構造を持ち、前記窒化炭素単結晶膜がβ-Si3N4型またはα-Si3N4型の結晶構造を有し、C3N4なる化学式で示されることを特徴とする窒化炭素単結晶膜。

IPC (6)：

C30B 29/38 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/36 ,  C30B 29/10 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (6)：

C30B 29/38 Z ,  C23C 14/06 P ,  C23C 16/36 ,  C30B 29/10 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205