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J-GLOBAL ID:200903062956036390

窒化炭素単結晶膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 上代 哲司 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996036075
Publication number (International publication number):1997227298
Application date: Feb. 23, 1996
Publication date: Sep. 02, 1997
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 基板上に結晶性に優れた窒化炭素単結晶膜を形成し、発光素子、高温動作素子、耐環境素子用の半導体として利用する。【解決手段】 サファイア単結晶基板を洗浄し、MOCVD法によりh-aN単結晶膜を成長させ、この基板温度を1000°Cに上昇し、バッファー層上にh-GaN膜を30分間で0.5μm成長させた。さらにこのh-GaN単結晶膜上にスパッタ法によりターゲットにグラファイトを、成膜ガスにAr+N2ガスを用い窒化炭素膜を成長さす。
Claim (excerpt):
単結晶基板(1)上に中間層として六方晶窒化ガリウム(h-GaN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム(InN)、六方晶炭化硅素(h-SiC)、酸化亜鉛(ZnO)、あるいはこれらのなかの2種類以上の物質からなる固溶体の単結晶膜(2)が形成され、前記単結晶膜上に窒化炭素単結晶膜(3)が形成された構造を持ち、前記窒化炭素単結晶膜がβ-Si3N4型またはα-Si3N4型の結晶構造を有し、C3N4なる化学式で示されることを特徴とする窒化炭素単結晶膜。
IPC (6):
C30B 29/38 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/36 ,  C30B 29/10 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205
FI (6):
C30B 29/38 Z ,  C23C 14/06 P ,  C23C 16/36 ,  C30B 29/10 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

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