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J-GLOBAL ID：200903062956300704

半導体素子

Inventor： 小野 秀樹 ,  鈴木 寿一 ,  平 健一 ,  川島 紀之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999336787
Publication number (International publication number)：2001156298
Application date： Nov. 26, 1999
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】 消費電力が小さく、高速動作および高集積化が可能な半導体素子を提供する。【解決手段】 基板1の上にチャネル層11,スペーサ層12,第1の障壁層13,量子ドット14b,第2の障壁層15,量子ドット16bおよび第3の障壁層17を順次積層し、その上にゲート電極4を形成する。ゲート電極4に光パルスLを照射すると、発生した光電子はショットキー障壁を乗り越えまずゲート電極4に近い量子ドット16bに蓄積され、次いでゲート電極4から遠い量子ドット14bに蓄積される。電子の蓄積効果の大きさはチャネル層11との間の距離により異なるので、電子の蓄積状態に応じてしきい値電圧の変化率は異なる。すなわち、光パルスLの照射回数に対してしきい値電圧は非線形に変化し、多値情報に対応することができる。

Claim (excerpt)：

伝導領域と、この伝導領域との間の距離が異なる2以上の量子ドットと、これら量子ドットの前記伝導領域と反対側の位置に設けられた制御電極とを備えており、この制御電極に入力されるパルス信号の回数に応じて前記量子ドットにおける電荷の蓄積状態が異なることを特徴とする半導体素子。

IPC (4)：

H01L 29/80 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 ,  H01L 31/10

FI (4)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/80 A ,  H01L 31/10 E

F-Term (17)：

5F049MA14 ,  5F049MB07 ,  5F049NA20 ,  5F049NB10 ,  5F049QA16 ,  5F083FZ04 ,  5F083ZA21 ,  5F102FB07 ,  5F102GA19 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD05 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GQ05 ,  5F102GT02 ,  5F102HC01