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J-GLOBAL ID：200903062959083682
半導体レーザ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993240017
Publication number (International publication number)：1995099367
Application date： Sep. 27, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】半導体レーザパッケージを小型化すると共に、半導体レーザチップに印加する高周波の不要輻射を抑制する。【構成】半導体レーザチップ1がパッケージベース基板2にボンディングされ、上記パッケージベース基板2に対して電極端子15が垂直方向に貫通して設けられている。更に、上記半導体レーザチップ1が収納された半導体レーザパッケージ32を構成している。そして、上記パッケージベース基板を貫通する電極端子15が2層以上の絶縁材料16, 17の間に挟み込まれた導電性材料で構成されて電極が形成されている。
Claim (excerpt)：
半導体レーザチップが直接あるいはヒートシンク材を介してパッケージベース基板にボンディングされ、上記パッケージベース基板に対して電極端子の一部又は全端子が垂直方向に貫通して設けられ、上記半導体レーザチップが収納された半導体レーザパッケージを構成している半導体レーザ装置であって、上記パッケージベース基板を貫通する電極端子が2層以上の絶縁材料の間に挟み込まれた導電性材料で構成されて電極が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3)：
H01S 3/18
, G12B 17/02
, H01L 21/52
