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J-GLOBAL ID:200903062970995901

コンデンサ及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998118316
Publication number (International publication number):1999312626
Application date: Apr. 28, 1998
Publication date: Nov. 09, 1999
Summary:
【要約】【課題】 ポリチオフェン誘導体で構成される導電層を備えたコンデンサで、高温・高湿度下での安定性に優れたコンデンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 誘電体層に対向して一対の電極を備え、前記電極の少なくとも一方に、少なくとも一つのスルホン酸基を有するベンゼンスルホン酸イオン、少なくとも一つのアルキル基とスルホン酸基を有するアルキルベンゼンスルホン酸イオン、あるいは少なくとも一つのスルホン酸基を有するナフタレンスルホン酸イオンの中から少なくとも一種と、少なくとも一つのアルキル基とスルホン酸基を有するアルキルナフタレンスルホン酸イオン、あるいは少なくとも一つのスルホン酸基を有するアントラキノンスルホン酸イオンの中から少なくとも一種とがド-プされたポリチオフェン誘導体で構成される導電層を備えたコンデンサ及びその製造方法である。
Claim (excerpt):
誘電体層に対向して一対の電極を備え、前記電極の少なくとも一方に導電層を備えたコンデンサであって、前記導電層は、少なくとも一つのスルホン酸基を有するベンゼンスルホン酸イオン、あるいは少なくとも一つのアルキル基とスルホン酸基を有するアルキルベンゼンスルホン酸イオンの中から少なくとも一種と、少なくとも一つのアルキル基とスルホン酸基を有するアルキルナフタレンスルホン酸イオン、あるいは少なくとも一つのスルホン酸基を有するアントラキノンスルホン酸イオンの中から少なくとも一種とがド-プされたポリチオフェン誘導体で構成されることを特徴とするコンデンサ。
FI (2):
H01G 9/02 331 G ,  H01G 9/02 331 H
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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