半導体記憶装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001264754
Publication number (International publication number)：2003078043
Application date： Aug. 31, 2001
Publication date： Mar. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】本発明は、ゲート電極がp型不純物を含むMONOSメモリセルにおいて消去動作の高速化を図ることを特徴とする。【解決手段】第1の絶縁層2、電荷蓄積層3および第2の絶縁層4の三層を含むゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極5とを有し、電気的に情報を書き込み消去可能なメモリセルを含み、電荷蓄積層3はシリコン窒化膜またはシリコン酸窒化膜からなり、第1および第2の絶縁層はそれぞれシリコン酸化膜または電荷蓄積層よりも酸素組成の多いシリコン酸窒化膜からなり、第2の絶縁層の厚さが5(nm)以上であり、ゲート電極はp型不純物を含むp型半導体からなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1の絶縁層、電荷蓄積層および第2の絶縁層の三層を含む積層構造のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された制御電極とを有し、電気的に情報を書き込み消去可能なメモリセルを含み、前記電荷蓄積層はシリコン窒化膜またはシリコン酸窒化膜からなり、前記第1の絶縁層および第2の絶縁層はそれぞれシリコン酸化膜または前記電荷蓄積層よりも酸素組成の多いシリコン酸窒化膜からなり、前記第2の絶縁層の厚さが5(nm)以上であり、前記制御電極はp型不純物を含むp型半導体からなることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6)：

H01L 21/8247 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434 , H01L 27/08 321 D , H01L 27/08 321 K

F-Term (82)：

5F048AB01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA09 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB16 , 5F048BB17 , 5F048BB18 , 5F048BC01 , 5F048BC06 , 5F048BC19 , 5F048BC20 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BG13 , 5F048DA18 , 5F048DA19 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F083EP17 , 5F083EP18 , 5F083EP22 , 5F083EP32 , 5F083EP43 , 5F083EP44 , 5F083EP48 , 5F083EP49 , 5F083EP65 , 5F083EP70 , 5F083EP76 , 5F083EP77 , 5F083EP79 , 5F083ER11 , 5F083GA01 , 5F083HA02 , 5F083JA04 , 5F083JA05 , 5F083JA33 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA53 , 5F083MA06 , 5F083MA20 , 5F083PR29 , 5F083PR36 , 5F083PR43 , 5F083PR45 , 5F083PR46 , 5F083PR53 , 5F083PR55 , 5F083PR56 , 5F083ZA05 , 5F083ZA06 , 5F083ZA07 , 5F083ZA21 , 5F101BA45 , 5F101BA46 , 5F101BA47 , 5F101BB02 , 5F101BC02 , 5F101BD02 , 5F101BD10 , 5F101BD22 , 5F101BD27 , 5F101BD33 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BD36 , 5F101BD37 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF05 , 5F101BH09 , 5F101BH19 , 5F101BH21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

不揮発性半導体記憶装置およびその駆動方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-361877 Applicant：ソニー株式会社
半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-099096 Applicant：シチズン時計株式会社
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-194475 Applicant：ソニー株式会社

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