半導体レーザアレイ及びその製造方法、光集積ユニット、光ピックアップ並びに光ディスク駆動装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998181068
Publication number (International publication number)：2000011417
Application date： Jun. 26, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】多波長型の高性能なる半導体レーザアレイ及びその製造方法、光集積ユニット、光ピックアップ並びに光ディスク駆動装置を提供する。【解決手段】発振波長が異なる屈折率ガイド型の半導体レーザのそれぞれについてダブル横モード制御、電流狭窄およ埋め込み加工を一括して行うことによりリソグラフィ等の工程数が少なく、素子表面が平坦で放熱性が良好な半導体レーザアレイを実現できる。また、このような多波長型のレーザアレイとホログラム素子と検出用PDとを所定の位置関係に配置することにより、光ディスクからの戻り光を一箇所に集めて1チップ上のPDで検出することができるようになり、飛躍的に小型・軽量で高信頼性を有する光ディスク駆動装置を実現できる。

Claim (excerpt)：

GaAs基板と、前記基板上に設けられ第1の波長のレーザ光を放出する第1のレーザ素子部と、前記基板上に設けられ前記第1の波長とは異なる第2の波長のレーザ光を前記第1の波長のレーザ光と略平行な方向に放出する第2のレーザ素子部と、を備え、前記第1のレーザ素子部は、InGaAlP第1クラッド層と、前記第1クラッド層の上に設けられた活性層と、前記活性層の上に設けられたInGaAlP第2クラッド層とを有し、前記第2のレーザ素子部は、InGaAlP第1クラッド層と、前記第1クラッド層の上に設けられた活性層と、前記活性層の上に設けられたInGaAlP第2クラッド層とを有し、前記第1のレーザ素子部の前記第2クラッド層の層厚と、前記第2のレーザ素子部の前記第2クラッド層の層厚とは、略同一であるものとして構成されていることを特徴とする半導体レーザアレイ。

F-Term (18)：

5D119AA01 , 5D119AA04 , 5D119AA36 , 5D119AA38 , 5D119BA01 , 5D119BB02 , 5D119BB03 , 5D119CA10 , 5D119CA11 , 5D119DA01 , 5D119DA05 , 5D119FA05 , 5D119FA09 , 5D119FA17 , 5D119FA25 , 5D119NA01 , 5D119NA04 , 5D119NA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平1-204487
異なった厚さを有するディスクとの互換採用が可能な光ピックアップ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-124250 Applicant：三星電子株式会社
光ピックアップ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-309647 Applicant：三洋電機株式会社

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