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J-GLOBAL ID：200903062991169327

酸化物結晶の製造方法および製造装置

Inventor： 並川 靖生 ,  塩原 融 ,  田中 昭二
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社 ,  財団法人国際超電導産業技術研究センター
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994327021
Publication number (International publication number)：1996183698
Application date： Dec. 28, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 より良質で大型のイットリウム系またはランタノイド系酸化物超電導体結晶を引上げ法により作製するため、引上げる結晶の形状を安定に制御でき、かつ融液からの結晶の成長を安定に持続することのできる方法および装置を提供する。【構成】 るつぼ6に収容される原料融液4から、回転する結晶引上げ軸1により、RBa2 Cu3 O7-X (Rはイットリウムまたはランタノイド系元素、0≦X≦1)の構造を有する酸化物の結晶3を引上げていく。引上げ中に、原料融液4の表面の位置を経時的に測定して、該表面の結晶引上げ方向とほぼ平行な方向の下降速度を求め、この下降速度によって結晶引上げ軸1の上昇速度を調整する。

Claim (excerpt)：

るつぼに収容される原料融液から、回転する結晶引上げ軸により、RBa2 Cu3 O7-X (Rはイットリウムまたはランタノイド系元素、0≦X≦1)の構造を有する酸化物の結晶を引上げる方法において、結晶引上げ中に前記原料融液の表面の位置を経時的に測定して前記表面の結晶引上げ方向とほぼ平行な方向の移動速度を求め、前記移動速度によって前記結晶引上げ軸の上昇速度を調整することを特徴とする、酸化物結晶の製造方法。

IPC (7)：

C30B 29/22 501 ,  C30B 29/22 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/02 ,  C30B 15/22 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565