Pat

J-GLOBAL ID：200903062994792963

半導体ウエーハの評価方法

Inventor： 大槻 剛
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001295981
Publication number (International publication number)：2003100829
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 荷電粒子に曝す処理が施された半導体ウエーハのチャージングダメージを簡便に、また高精度で評価できる半導体ウエーハの評価方法を提供する。【解決手段】 荷電粒子に曝す処理が施された半導体ウエーハのチャージングダメージを評価する方法であって、シリコンウエーハ3表面に酸化膜1を形成した後、形成した酸化膜1の一部を除去して開口部を形成し、形成した開口部からシリコンウエーハ3にドーパントを導入、拡散させてシリコンウエーハ3表面にpn接合4を形成し、pn接合4が形成されたシリコンウエーハ3上に多結晶シリコン電極2を形成した後、シリコンウエーハ3表面上に形成した多結晶シリコン電極2に電圧を印加してpn接合4のリーク電流を測定することによりシリコンウエーハ3のチャージングダメージを評価する。

Claim (excerpt)：

荷電粒子に曝す処理が施された半導体ウエーハのチャージングダメージを評価する方法であって、前記半導体ウエーハ表面に酸化膜を形成した後、形成した酸化膜の一部を除去して開口部を形成し、形成した開口部から前記半導体ウエーハにドーパントを導入、拡散させて半導体ウエーハ表面にpn接合を形成し、該pn接合が形成された半導体ウエーハ上に電極を形成する工程を行った後、半導体ウエーハ表面上に形成した電極に電圧を印加して前記pn接合のリーク電流を測定することにより半導体ウエーハのチャージングダメージを評価することを特徴とする半導体ウエーハの評価方法。

F-Term (5)：

4M106AA01 ,  4M106BA12 ,  4M106BA14 ,  4M106CA04 ,  4M106CB30