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J-GLOBAL ID：200903062995635624
広ストライプ型半導体レーザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中井 宏行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991157613
Publication number (International publication number)：1993063289
Application date： May. 31, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】簡易な構成で集光性に優れた広ストライプ型半導体レーザを得る。【構成】広ストライプ型半導体レーザにおいて、中央部の共振器長が両端部より長くなるようにストライプ61に中央突出部61aを形成して、ストライプ61中央部における発振利得を他部分よりも大きくしている。
Claim (excerpt)：
広ストライプ型半導体レーザにおいて、中央部の共振器長が両端部より長くなるように中央突出部をストライプに形成して、ストライプ中央部における発振利得を他部分よりも大きくしたことを特徴とする広ストライプ型半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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