半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999168616
Publication number (International publication number)：2000357736
Application date： Jun. 15, 1999
Publication date： Dec. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】設計通りの面積を有する微細なコンタクトホール、または溝を備えた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】金属配線層30上に形成された層間絶縁層31上に、所望の線幅と間隔を持つ直線状にパターニングしたマスク層32-1を形成し、次に所望の線幅と間隔を有し、マスク層32-1と直交する直線状にパターニングされたフォトレジスト33-2を形成する。そしてマスク層とフォトレジストに覆われていない領域の層間絶縁層をエッチングし、二組の対向する二辺がそれぞれ直交し、且つマスク層とフォトレジストの間隔に一致する四角形のコンタクトホールを形成することを特徴としている。配線形成時に用いる直線の加工技術を組み合わせて四角形のコンタクトホールを形成するので、角が丸まるのを防止でき、複数のコンタクトホールを形成する場合もサイドローブの影響を受けない。

Claim (excerpt)：

第1の金属配線層上に層間絶縁層を形成する工程と、前記層間絶縁層上に所定の線幅と間隔を有する直線状にパターニングされた第1のマスク層を形成する工程と、前記第1のマスク層上及び前記層間絶縁層の露出部分上に、所定の線幅と間隔を有し、前記第1のマスク層と直交する直線状にパターニングされた第2のマスク層を形成する工程と、前記第1、第2のマスク層によりマスキングされない領域の前記層間絶縁層をエッチングすることにより、前記第1のマスク層を用いてエッチングされた対向する二辺と、前記第2のマスク層を用いてエッチングされた対向する二辺を有する四角形であるコンタクトホールを形成する工程と、前記第1、第2のマスク層を除去する工程と、前記層間絶縁層上及び前記コンタクトホール内に露出された第1の金属配線層上に、第2の金属配線層を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (5)：

H01L 21/90 A , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 C , H01L 21/302 H , H01L 21/90 C

F-Term (26)：

5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004DB03 , 5F004EA02 , 5F004EA07 , 5F004EB01 , 5F004EB03 , 5F004EB04 , 5F033KK01 , 5F033KK28 , 5F033PP15 , 5F033QQ01 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ28 , 5F033QQ29 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033SS11 , 5F033WW01 , 5F033XX03 , 5F046AA13 , 5F046AA26 , 5F046BA08 , 5F046CB17

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