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J-GLOBAL ID：200903063005913567
真空処理装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991153173
Publication number (International publication number)：1993001375
Application date： Jun. 25, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、半導体や光学薄膜の製造工程のスパッタリング、CVD、MBEなどに利用されて、ターゲットの物質を基板上へ不純物の混入なく堆積させる真空処理装置を提供する。【構成】 真空処理室1において、基板9およびターゲット10をチャック電源7、8で保持する基板ホルダー3、ターゲットホルダー4の真空処理室内に露出する部分が、低ガス放出部材で覆われ、さらに放電電源5、6によるプラズマに曝される部分が耐プラズマ性材料で構成される。また基板ホルダー3の大気側に、絶縁された静電チャック電極33、加熱ヒータ41、プラズマ放電電極35が設けられる。【効果】 高真空での放出ガスが低減され、基板への堆積物中への不純物混入が防止でき、またパーティクルの発生も低減できると同時に、基板を高温に加熱しうるので、高純度な薄膜、欠陥の少ない結晶膜が得られる。
Claim (excerpt)：
基板上にターゲットからの物質を堆積させる真空処理装置において、基板およびターゲットを保持する電極ホルダーの真空処理室内に露出される部分が、低ガス放出性の部材で覆われることを特徴とする真空処理装置。
IPC (3)：
C23C 14/50
, C23C 14/34
, C23C 16/50
