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J-GLOBAL ID：200903063010919425

ショットキーバリア半導体装置及びその製造方法

Inventor： 稲見 信夫 ,  斉藤 豊
Applicant, Patent owner： グローバルアライアンス株式会社
Agent (1)： 栗原 浩之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998344714
Publication number (International publication number)：2000174293
Application date： Dec. 03, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】 従来実現されたショットキーダイオードとは特性が全く異なる、自己損失の少ないショットキーバリア半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン半導体層11の表面に当該半導体層と接触してショットキーバリアを形成するショットキーバリア層が設けられているショットキーバリア半導体装置において、前記ショットキーバリア層が、少なくとも前記半導体層との接触面がチタンシリサイド14aからなるチタン層14であり、当該ショットキーバリア層上に窒化チタン層15が形成されている。

Claim (excerpt)：

シリコン半導体層の表面に当該半導体層と接触してショットキーバリアを形成するショットキーバリア層が設けられているショットキーバリア半導体装置において、前記ショットキーバリア層が、少なくとも前記半導体層との接触面がチタンシリサイドからなるチタン層であり、当該ショットキーバリア層上に窒化チタン層が形成されたことを特徴とするショットキーバリア半導体装置。

FI (2)：

H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 M

F-Term (11)：

4M104AA01 ,  4M104BB25 ,  4M104CC03 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104FF18 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平4-296020