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J-GLOBAL ID：200903063023610180

半導体装置の製造方法

Inventor： 山本 一郎
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997153786
Publication number (International publication number)：1999003869
Application date： Jun. 11, 1997
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 シリコン窒化膜に適当な条件でイオンを注入することで、生産性よくかつシリコン基板に欠陥を導入することなく窒化膜の応力を低減することを目的とする。【解決手段】 シリコン窒化膜に1E15cm-2以下のドーズ量でイオンを注入し、そのイオンの投影飛程がシリコン窒化膜の膜厚の20〜60%であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

シリコン窒化膜にイオン注入されるイオンの投影飛程が該シリコン窒化膜の膜厚の20%乃至60%であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/316

FI (4)：

H01L 21/265 Y ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/94 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭55-056635
  
• 特開昭55-036935