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J-GLOBAL ID：200903063032371733
プラズマエッチング装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小林 英一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993291096
Publication number (International publication number)：1995142449
Application date： Nov. 22, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：
【要約】【目的】 ウェーハの周縁面のみをエッチングするのに好適なプラズマエッチング装置を提供する。【構成】 上下電極2,3の放電面12, 18をウェーハ9のエッチングすべき周縁面に合わせて制限するとともに、ウェーハ9のエッチングしない面内部に向けて不活性ガスを吹き付けるようにしたので、ウェーハの周縁面のみを選択的にエッチングすることを可能にする。
Claim (excerpt)：
ウェーハを上部電極と下部電極の間に載置してガス放電によってウェーハをエッチングするプラズマエッチング装置において、前記上部電極でのウェーハのエッチングすべき周縁面部分と対向する外側部分は反応ガスをプラズマ状に噴射する放電面とされ、かつそのウェーハの周縁面以外の内面側と対向する内側部分は不活性ガスを噴射して充満させる非放電部とされ、前記下部電極でのウェーハの周縁面部分と対向する外側部分は放電面とされ、かつそのウェーハの周縁面以外の内面側と対向する内側部分には絶縁性のあるサセプタが配設されることを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (2)：
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