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J-GLOBAL ID：200903063033715630

光学活性3-キヌクリジノールの製造方法

Inventor：
竹中 元伸

About 竹中 元伸


Applicant, Patent owner：
高砂香料工業株式会社

About 高砂香料工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004128079
Publication number (International publication number)：2005306804
Application date： Apr. 23, 2004
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：
【課題】 光学純度の高い光学活性3-キヌクリジノールを収率よく製造できる方法を提供すること 【解決手段】3-キヌクリジノンを不斉水素化して、光学活性3-キヌクリジノールを製造する方法において、塩基化合物及び、触媒として下記一般式(1)で表されるルテニウム錯体を用いることを特徴とする光学活性3-キヌクリジノールの製造方法。 【化1】(式(1)中、Lは下記一般式(2) 【化2】(式(2)中、R1及びR2はそれぞれ独立して置換基を有していてもよいフェニル基を表す。)で表される光学活性ホスフィンを示し、Aは下記一般式(3) 【化3】(式(3)中、R3はアルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基を表し、R4は水素原子又は置換基を有してもよいフェニル基を表し、R5は置換基を有していてもよいフェニル基を表す。)で表される光学活性ジアミンを示す。)【選択図】なし
Claim (excerpt)：
3-キヌクリジノンを不斉水素化して、光学活性3-キヌクリジノールを製造する方法において、塩基化合物及び触媒として、下記一般式(1)で表されるルテニウム錯体を用いることを特徴とする光学活性3-キヌクリジノールの製造方法。
IPC (1)：
C07D453/02
FI (1)：
C07D453/02
F-Term (16)：
4C064AA06 ,  4C064CC01 ,  4C064DD01 ,  4C064EE05 ,  4C064FF01 ,  4C064GG01 ,  4C064HH05 ,  4C064HH07 ,  4H006AA02 ,  4H006AC81 ,  4H006BA23 ,  4H006BA37 ,  4H006BA48 ,  4H006BE20 ,  4H039CA60 ,  4H039CB20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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