半導体装置,半導体装置の製造方法,薄膜トランジスタ ,薄膜トランジスタの製造方法,表示装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994269872
Publication number (International publication number)：1996051076
Application date： Nov. 02, 1994
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】結晶粒径が均一で且つ大きな多結晶シリコン膜を形成する。【構成】絶縁基板1上にRTA装置のランプ光を反射する膜2を形成する。次に、反射膜2上にバッファ膜3を形成する。続いて、バッファ膜3上に非晶質シリコン膜4を形成して、ランプ光を極短時間で複数回照射させる。ランプ光が照射されると非晶質シリコン膜4の表面は加熱されて溶融し、冷やされると凝固して結晶化することで多結晶シリコン膜5が形成される。ランプ光は非晶質シリコン膜4の全面に一括して照射されるため、多結晶シリコン膜5の結晶粒径は均一になる。また、非晶質シリコン膜4を透過したランプ光は反射膜2によって反射されるためランプ光の利用効率が高まり、非晶質シリコン膜4の加熱溶融が効率的に行われる。その結果、非晶質シリコン膜4の凝固速度が遅くなり、多結晶シリコン膜5の結晶粒径を大きくすることができる。

Claim (excerpt)：

溶融再結晶化法によって形成された多結晶シリコン膜を備えた半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/20 , H01L 21/26 , H01L 21/268 , H01L 21/84 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/26 L , H01L 21/84 , H01L 29/78 311 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

半導体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-281419 Applicant：日本電気株式会社
多結晶シリコン薄膜用基板および多結晶シリコン薄膜の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-017675 Applicant：シャープ株式会社
特開平4-033327

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