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J-GLOBAL ID：200903063044825560
半導体発光素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999277640
Publication number (International publication number)：2000208814
Application date： Sep. 29, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】II族元素及びIV族元素を添加したp型半導体層を用いつつ、通電中の発光特性の劣化を抑制でき、良好な寿命特性で高い信頼性が得られる。【解決手段】Inを含む活性層105を、p型半導体層107とn型半導体層104とで挟んでなる窒化物系III-V族化合物からなる半導体発光素子を、p型半導体層107と活性層105との間に、この活性層105に隣接する拡散抑制層106が設けられており、この拡散抑制層106が、不純物としてIV族元素を所定の濃度以下で含んでおり、かつ、p型半導体層107が、不純物としてII族元素及びIV族元素を所定の濃度以上で含んでいる。
Claim (excerpt)：
窒化物系III-V族化合物によって構成されており、基板上に設けられたp型半導体層とn型半導体層との間に、Inを含む活性層が設けられた半導体発光素子であって、該p型半導体層と該活性層との間に、該活性層に隣接する拡散抑制層が設けられており、該拡散抑制層が、不純物としてIV族元素を所定の濃度以下で含むとともに、該p型半導体層が、不純物としてII族元素及びIV族元素を所定の濃度以上で含んでいる半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 33/00 C
, H01S 5/323
