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J-GLOBAL ID：200903063061170933

GaN系電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
吉田 清輝

About 吉田 清輝

, 
竹原 洋斉

About 竹原 洋斉


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001334718
Publication number (International publication number)：2003142501
Application date： Oct. 31, 2001
Publication date： May. 16, 2003
Summary：
【要約】【課題】 良好なパワー特性を実現すると共に、その製造プロセスを簡略化してコスト低減を達成することができるGaN系FET及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 厚さ50nm程度のサファイア基板10上にn型GaN電子走行層14及びAl0.2Ga0.8N電子供給層16が形成され、これらを挟んでn+ 型GaNコンタクト領域24a、24bが形成されている。全面的に形成された厚さ3000nm程度のポリイミド層間絶縁膜28に開口されたコンタクトホールを介して、TaSi/Au層からなるソース電極32a及びドレイン電極32bがn+ 型GaNコンタクト領域24a、24bにオーミック接続し、同じTaSi/Au層からなるゲート電極32cがSiO2ゲート絶縁膜26に接触している。これらの電極の厚さはポリイミド層間絶縁膜28よりも厚い5000nm程度である。
Claim (excerpt)：
GaN系半導体層からなるチャネル層と、前記チャネル層の両端に接触して設けられた2つのコンタクト領域と、前記チャネル層上に設けられたゲート電極と、前記2つのコンタクト領域上にそれぞれ設けられたソース電極及びドレイン電極とを有するGaN系電界効果トランジスタであって、前記ゲート電極、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極が、耐圧・耐熱性樹脂から構成される絶縁膜によって互いに絶縁分離されていることを特徴とするGaN系電界効果トランジスタ。
IPC (5)：
H01L 21/338 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (3)：
H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 29/80 H
F-Term (47)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD20 ,  4M104DD34 ,  4M104DD63 ,  4M104DD75 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F102FA02 ,  5F102GA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT05 ,  5F102GV05 ,  5F102HA06 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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