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J-GLOBAL ID：200903063064934268

半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： 赤崎 博 ,  大塚 寛治 ,  水上 雅雄 ,  舘 宏
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992189218
Publication number (International publication number)：1994037233
Application date： Jul. 16, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体チップを基板に高密度に実装する技術を提供する。また、半導体チップと基板との接続信頼性を向上させる技術を提供する。【構成】 実装基板1のフットプリント4と半導体チップ2の電極パッド3とを接続するリード5は、フットプリント4に接続されたその一端側が電極パッド3に接続された他の一端側よりも半導体チップ2の内側に位置するように延在されており、かつその中途部には、実装基板1および半導体チップ2のいずれとも接触していない中空状態の屈曲部5aが形成されている。また、リード5のフットプリント4に接続された一端と半導体チップ2の主面との間には、ゴム状弾性体からなる突起6が介在されている。

Claim (excerpt)：

一端が実装基板の主面のフットプリントに接続され、他の一端が半導体チップの主面の電極パッドに接続されたリードを介して前記半導体チップを前記実装基板にフェイスダウンボンディングしてなる半導体集積回路装置であって、前記リードは、前記フットプリントに接続された一端側が前記電極パッドに接続された他の一端側よりも半導体チップの内側に位置するように延在され、かつ前記リードの中途部には、中空状態の屈曲部が形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3)：

H01L 23/50 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12