ポジ型レジスト組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (22)：鈴江武彦 , 蔵田昌俊 , 河野哲 , 中村誠 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 幸長保次郎 , 河野直樹 , 砂川克 , 勝村紘 , 橋本良郎 , 風間鉄也 , 河井将次 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子 , 竹内将訓 , 市原卓三 , 山下元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008138614
Publication number (International publication number)：2009288344
Application date： May. 27, 2008
Publication date： Dec. 10, 2009
Summary：

【課題】本発明は上記事情に鑑みて成されたものであり、前記フリージングプロセスにおいて第一のレジストパターンに対して特別な化学処理を施すことなく、第二のレジストの溶剤及び現像液に対して実質的に溶解せず、且つ第二のレジストパターン形成後においても形状を悪化させずにラインエッジラフネスが良好な第一のパターンを形成することができる、新規なフリージング処理用のポジ型レジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。【解決手段】(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)加熱により樹脂間を架橋する官能基を有する化合物、を含有するポジ型レジスト組成物。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)加熱により樹脂間を架橋する官能基を有する化合物、を含有するポジ型レジスト組成物。

IPC (5)：

G03F 7/039 , G03F 7/40 , G03F 7/004 , H01L 21/027 , C08F 220/18

FI (6)：

G03F7/039 601 , G03F7/40 511 , G03F7/004 501 , H01L21/30 502C , H01L21/30 502R , C08F220/18

F-Term (51)：

2H025AA03 , 2H025AB14 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025CC04 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025DA34 , 2H025FA17 , 2H025FA29 , 2H025FA33 , 2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096AA28 , 2H096BA11 , 2H096CA06 , 2H096EA05 , 2H096GA09 , 2H096HA01 , 2H096HA05 , 4J100AJ02R , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL08S , 4J100BA02R , 4J100BA03R , 4J100BA03S , 4J100BA11P , 4J100BA40P , 4J100BC03Q , 4J100BC04P , 4J100BC04R , 4J100BC08R , 4J100BC09Q , 4J100BC09R , 4J100BC09S , 4J100BC53P , 4J100BC54P , 4J100CA06 , 4J100DA01 , 4J100DA39 , 4J100JA38 , 5F046AA13 , 5F046JA22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

パターン形成方法、金属酸化物膜形成用材料およびその使用方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-208919 Applicant：東京応化工業株式会社
微細パターン形成方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-000347 Applicant：株式会社半導体先端テクノロジーズ

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