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J-GLOBAL ID:200903063082690678

磁性積層体およびその製造方法ならびに磁気抵抗効果素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石井 陽一 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991254600
Publication number (International publication number):1993067525
Application date: Sep. 06, 1991
Publication date: Mar. 19, 1993
Summary:
【要約】【構成】 Ag、AuおよびCuの少なくとも1種を含む単結晶状バッファ層上に、Fe、CoおよびNiの少なくとも1種を含む磁性薄膜と、Ag薄膜とを交互にエピタキシャル成長させながら積層する。バッファ層、磁性薄膜およびAg薄膜は、好ましくは分子線エピタキシー法で成膜する。RHEEDパターンはバッファ層、多層膜とも(100)配向単結晶であることを示す。積層体は、面内に磁化容易軸をもち、面内の角型比0.5以下であり、反強磁性を示す。【効果】 従来の反強磁性型の積層体と比較して、数kOe程度と低い磁場でも巨大磁気抵抗変化率を示し、この磁気抵抗変化率はバッファ層によって格段と高いものとなり、0.01〜20kOe の範囲で1〜150%の任意の磁気抵抗変化率を得ることができる。
Claim (excerpt):
Ag、AuおよびCuの少なくとも1種を含む単結晶状バッファ層上に、Fe、CoおよびNiの少なくとも1種を含む磁性薄膜と、Ag薄膜とを積層した多層膜を有することを特徴とする磁性積層体。
IPC (4):
H01F 10/00 ,  H01F 10/26 ,  H01F 41/20 ,  H01L 43/10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開昭61-218121
  • 特開昭63-194314
  • 特開昭63-064374
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