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J-GLOBAL ID：200903063097206225

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 知野 豊治 ,  松田 賢一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993246536
Publication number (International publication number)：1995106688
Application date： Oct. 01, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 基板に電極を厚く蒸着する際、生じる応力により剥離することがある。本発明は、電極の剥離を防止するものである。【構成】 本発明の一実施例の垂直共振器型面発光レーザは、基板101上に、p型ミラー103活性層104n型ミラー105が形成されている。さらにn型ミラー105の上に電極107、Au108、Ni109が形成されている。ここでヤング率が7.8X1010である金属のAu108がヤング率が20X1010である金属のNi109の下に形成されているので、Ni109がはがれることを防止できる。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に被着された半導体薄膜と、該半導体薄膜上に被着された電極と、該電極上に被着された第1の金属と、該第1の金属上に被着された第2の金属とを備え、該第1の金属と該第2の金属のヤング率の差が8X1010Pa以上であることを特徴とする半導体装置。