化合物半導体の製造装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：越場隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997169405
Publication number (International publication number)：1999001391
Application date： Jun. 11, 1997
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】基板の上に成長されるInGaNエピタキシャル層のIn組成の制御性を高めることができる製造装置の提供。【解決手段】本発明による化合物半導体の製造装置では、In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(ただし、0<x<1)の気相成長させるのに、ほぼ同心状に設けられた内側管(7)、中間管(8)及び外側管(9)より成る三重管構造の反応管が採用される。これらの管(7〜9)によって区画される空間、つまり、内側管(7)内、中間通路(81)及び側部通路(91)は、窒素化合物ガス(NH<SB>3 </SB>)、三塩化インジウム(InCl<SB>3 </SB>)蒸気及びガリウム化合物ガス(GaCl)の各原料ガスを、GaAs基板(2A)の近傍まで、個別的に導入するための通路として形成される。

Claim (excerpt)：

インジウム(In)原料として三塩化インジウム(InCl<SB>3</SB> )を用いて基板の上に窒化インジウムガリウム(In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N、ただし、0<x<1)を気相成長させるための化合物半導体の製造装置において、内側管、中間管及び外側管がほぼ同心状に設けられ、これらの管により形成される空間が、少なくとも、三塩化インジウムを含むガス、ガリウム化合物を含むガス及び窒素化合物を含むガスを前記基板の近傍まで個別的に導入するための通路として構成されることを特徴とする化合物半導体の製造装置。

IPC (4)：

C30B 25/02 , C30B 29/38 , H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (4)：

C30B 25/02 P , C30B 29/38 D , H01L 33/00 C , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

プラズマCVDによる合成方法およびこの方法により合成されたエピタキシャルAlN
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-106110 Applicant：アルプス電気株式会社
特開昭62-193242
特開昭48-088099

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Vapor phase epitaxy of InxGa1-xN using InCl3,GaCl3 and NH3 sources

Return to Previous Page