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J-GLOBAL ID：200903063113997645

ダイナミックメモリ装置

Inventor： 長南 徹
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： ▲柳▼川 信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993276109
Publication number (International publication number)：1995105682
Application date： Oct. 06, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 内部降圧電源を用いたダイナミックメモリにおいて、アクティブ期間中の電流を削減する。【構成】 内部降圧電源を複数台(1〜3)設け、電源1は常時オンとしておき、他の電源2,3はアクティブ期間のみオンとする。更に、電源2,3はアクティブ期間の初期の電流大の期間のみオンとし、後続の電流小の期間はそのうち1つをオフとする。

Claim (excerpt)：

外部供給電源電圧を装置内部で降圧して動作電源電圧として各部へ供給するようにしたダイナミックメモリ装置であって、装置のアクティブ期間及びそれ以外の待機期間中に常時活性化されて前記降圧電源電圧を生成する第1の降圧電源手段と、前記アクティブ期間中にのみ活性化されて前記降圧電源電圧を生成する少なくとも第2及び第3の降圧電源手段とを含むことを特徴とするダイナミックメモリ装置。

IPC (2)：

G11C 11/407 ,  G05F 1/56 310

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-348254   Applicant：株式会社日立製作所