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J-GLOBAL ID：200903063125231486
半導体素子用温度検出回路装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993027033
Publication number (International publication number)：1994242176
Application date： Feb. 17, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】検出動作温度のばらつきが小さくすることの可能な半導体素子用温度検出回路装置を提供する。【構成】半導体素子用温度検出回路装置9は、温度検出対象の半導体素子のシリコン基板に形成されたダイオード1と、ダイオード1に電流2aを供給する定電流発生回路2と、温度依存性の無い一定電圧(Vc)3aを供給する基準電圧発生回路3と、コンパレータ4を備える。コンパレータ4の反転入力端子にはVc3aが、非反転入力端子にはダイオード1のアノード側電位(Va)1aがそれぞれ入力され、半導体素子、したがってダイオード1の温度が設定値よりも上昇して、Va1aがVc3aよりも低下すると、コンパレータ4はその出力信号4aをハイレベルからローレベルに切り換えて出力する。
Claim (excerpt)：
温度検出対象である半導体素子に対して一体に形成されたダイオードを備えた半導体素子用温度検出回路装置において、前記ダイオードに直列に接続されて,ダイオードに順方向電流を供給する定電流発生手段と、基準電圧発生手段と、この基準電圧発生手段の発生する電圧値と前記ダイオードの順方向電圧降下値とを比較する電圧比較手段を備えたことを特徴とする半導体素子用温度検出回路装置。
IPC (5)：
G01R 31/26
, G01K 7/00 391
, H01L 21/66
, H03K 17/08
, H03K 17/14
