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J-GLOBAL ID：200903063130744963

太陽電池及びその製造方法

Inventor： 渋谷 典明 ,  兼岩 実 ,  岡本 諭 ,  山嵜 一郎
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993070082
Publication number (International publication number)：1994283732
Application date： Mar. 29, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 太陽電池のセル周辺部の電流損失を防止し、高効率化を図る。【構成】 P型シリコン基板11と、光入射側に形成されたN+型半導体層13と、上記P型シリコン基板11の側面及び裏面に、プラズマCVD法により形成されたP+型微結晶シリコン16とによる。【効果】 太陽電池特性の短絡電流及び開放電圧の向上、製造工程の低温化、基板ライフタイムの向上を達成できる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板と、該半導体基板の表面に形成され、かつ、上記半導体基板の側面に露出しないように形成された第2導電型の第1半導体層とを有する太陽電池において、上記半導体基板より高濃度の第1導電型の第2半導体層を少なくとも上記半導体基板側面に設けることを特徴とする太陽電池。