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J-GLOBAL ID：200903063134427601

パターン形成材料及びパターン形成方法

Inventor： 吉岩 志子 ,  景山 弘 ,  城田 靖彦
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996237462
Publication number (International publication number)：1998083073
Application date： Sep. 09, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 電子線描画を用いた微細なレジストパターンの形成において、現像して形成されるパターン表面のラフネスを抑制することを目的とする。【解決手段】 化合物として1,3,5-トリス[4-(4-トルエンスルフォニロキシ)フェニル]ベンゼンを含有するパターン形成材料2を基板1上に形成して電子線3により露光を行い、その後パターン形成材料2をアルカリ現像してレジストパターンを形成する。上記の化合物は分子量が低いため、解像性に優れ、ラフネスの少ないパターンを形成することができる。

Claim (excerpt)：

下記一般式で表わされる化合物及び前記化合物を溶解させる溶媒とを含有するパターン形成材料。【化1】(但し、R1〜R3は任意の置換基、nは0以上6以下の整数)。

IPC (2)：

G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/004 503 A ,  H01L 21/30 502 R