Pat
J-GLOBAL ID：200903063135703181
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994266925
Publication number (International publication number)：1996130302
Application date： Oct. 31, 1994
Publication date： May. 21, 1996
Summary：
【要約】【目的】 コンタクトホ-ルのバリア性を向上させると共に薄膜化を図りうるバリアメタル膜を有する半導体装置とその製造方法を提供することである。【構成】 コンタクトホ-ルを含む絶縁膜13上に設けられたバリアメタル膜20は、第1のTi膜21、TiN膜22、TiON膜23及び第2のTi膜24からなる4層構造の積層膜である。TiON膜23はTiN膜22に1分間のO2プラズマ処理を施して形成するか、若しくはタ-ゲットをTiOとするArスパッタリング法により形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に設けられた絶縁膜と、上記絶縁膜に設けられた開口部と、上記開口部の少なくとも底部に設けられたバリアメタル膜と、上記開口部を埋め込む導電層とからなる半導体装置において、上記バリアメタル膜は、第1のTi膜、TiN膜、TiON膜及び第2のTi膜を順次積層した膜であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/43
, H01L 21/28 301
