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J-GLOBAL ID：200903063137073908

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 有留 誠一 ,  田中 智晴 ,  竹内 健
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994195767
Publication number (International publication number)：1996064699
Application date： Aug. 19, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、選択トランジスタの寄生容量を実質的に低減し、より一層の安定動作、高速動作を可能とした半導体記憶装置を提供する。【構成】 本発明の半導体記憶装置は、半導体基板上に電荷蓄積層と制御ゲートが積層され、電荷蓄積層の電荷の授受により書き込みおよび消去を行うメモリセルを複数個接続してなるメモリセルユニットが複数個配置され、隣接する少なくとも2個のメモリセルユニットがそれぞれ複数個の選択トランジスタを介して同一のデータ線に接続される構成の不揮発性半導体記憶装置において、前記複数個の選択トランジスタの少なくとも一つが電荷蓄積層と制御ゲートが積層されてなることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に電荷蓄積層と制御ゲートが積層され、電荷蓄積層の電荷の授受により書き込みおよび消去を行うメモリセルを複数個接続してなるメモリセルユニットが複数個配置され、隣接する少なくとも2個のメモリセルユニットがそれぞれ複数個の選択トランジスタを介して同一のデータ線に接続される構成の不揮発性半導体記憶装置において、前記複数個の選択トランジスタの少なくとも一つが電荷蓄積層と制御ゲートが積層されてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-074069
  
• 特開平2-074069
  
• 特開平4-278297