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J-GLOBAL ID：200903063143592798

炭素又は炭素を主成分とする被膜

Inventor： 山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999371801
Publication number (International publication number)：2000144423
Application date： Sep. 07, 1981
Publication date： May. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】 絶縁表面上の珪素被膜上に耐摩耗性を有する被膜を形成する。【解決手段】 絶縁表面上の珪素被膜3上に設けられた耐摩耗性を有する炭素又は炭素を主成分とする被膜5であって、炭素又は炭素を主成分とする被膜5は非晶質の被膜又は0.5〜2nmの大きさの微結晶を有する被膜であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上の珪素被膜上に設けられた耐摩耗性を有する炭素又は炭素を主成分とする被膜であって、前記炭素又は炭素を主成分とする被膜は非晶質の被膜又は0.5〜2nmの大きさの微結晶を有する被膜であることを特徴とする炭素又は炭素を主成分とする被膜。

IPC (3)：

C23C 16/26 ,  B41J 2/335 ,  C23C 16/511

FI (4)：

C23C 16/26 ,  C23C 16/511 ,  B41J 3/20 111 F ,  B41J 3/20 111 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭58-042472
  
• 特開昭55-078524
  
• 特開昭55-161545