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J-GLOBAL ID：200903063163746619

絶縁膜形成方法

Inventor： 安田 真 ,  福田 永
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991050940
Publication number (International publication number)：1993198574
Application date： Mar. 15, 1991
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】[目的] シリコン基板上に従来より膜質が優れ、破壊耐性の高い絶縁膜を形成すること。[構成] シリコン基板10上に形成したシリコン酸化膜12をN2Oガス雰囲気中で1000〜1200°Cの温度で加熱しながら上記シリコン酸化膜の膜厚Xに対しX/Y≦0.9を満足する膜厚Yのシリコン酸窒化膜(SiON膜)14に変える。このシリコン酸窒化膜14で絶縁膜を構成する。

Claim (excerpt)：

シリコンの下地上に絶縁膜を形成する方法において、シリコンの下地上に形成されたシリコン酸化膜を窒素含有の酸化性ガス雰囲気中で加熱処理してシリコン酸窒化膜に置換し該シリコン酸窒化膜を当該絶縁膜とし、前記置換は、前記シリコン酸化膜の膜厚が前記シリコン酸窒化膜の膜厚に対し0.9以下の膜厚となるように行うことを特徴とする絶縁膜形成方法。