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J-GLOBAL ID：200903063178692850

薄膜のドライエッチング方法

Inventor： 大池 一夫
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993241730
Publication number (International publication number)：1995099180
Application date： Sep. 28, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、絶縁性透明基板のような絶縁膜上に成膜され表示パネル等の透明電極として機能する透明導電薄膜のドライエッチング方法に関し、平行平板型エッチング装置を用い、RIEモードでドライエッチングする際、エッチングガスの組成を替えて2ステップでエッチングを行うことにより、透明導電薄膜の膜質によらず高速にエッチングが可能であり、量産性を損なうことなく透明導電薄膜の膜質を最適にし、且つ、マスクに忠実なパターニングを可能にすることを目的とする。【構成】 段差上に成膜された透明導電薄膜をドライエッチングする際に、有機系ガスのみにより透明導電薄膜を下地膜が露出するまでエッチングする工程と、続けて有機系ガスに還元性ガスを添加しオーバーエッチングする工程とを含むように構成する。

Claim (excerpt)：

透明絶縁性基板上に所定形状にパターニングされた少なくとも一層の薄膜上に直接あるいは絶縁膜を介して透明導電薄膜を成膜後、ドライエッチング法により所定形状にパターニングする際、平行平板型エッチング装置を用い、カソードカップリング型の反応性イオンエッチング(以下RIEと略す)モードで行うドライエッチング方法において、有機系ガスのみにより透明導電薄膜を下地膜が露出するまでエッチングし、続いて有機系ガスに還元性ガスを添加しオーバーエッチングすることを特徴とする薄膜のドライエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 29/40 ,  H01L 29/786

FI (2)：

H01L 21/302 F ,  H01L 29/78 311 F