Pat
J-GLOBAL ID：200903063181262831

誘電体磁器および積層型電子部品

Inventor：
神垣 耕世

About 神垣 耕世


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004354335
Publication number (International publication number)：2006165259
Application date： Dec. 07, 2004
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：
【課題】AC電界に対する室温及び100°C近傍の比誘電率の変化が小さく、DC電界印加による比誘電率の減少率の小さい誘電体磁器を提供する。【解決手段】誘電体セラミックスからなる誘電体磁器であって、前記誘電体セラミック結晶のc軸及びa軸の格子定数比c/aが1.004以上であり、比誘電率の最大温度が、0.15V/μm以下の測定交流電界において60〜125°C、且つ0.15V/μmより大きい測定交流電界において60°C未満であることを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
誘電体セラミックスからなる誘電体磁器であって、前記誘電体セラミック結晶のc軸及びa軸の格子定数比c/aが1.004以上であり、比誘電率の最大温度が、0.15V/μm以下の測定交流電界において60〜125°C、且つ0.15V/μmより大きい測定交流電界において60°C未満であることを特徴とする誘電体磁器。
IPC (4)：
H01G 4/12 ,  C04B 35/46 ,  H01B 3/12 ,  C04B 35/00
FI (4)：
H01G4/12 358 ,  C04B35/46 D ,  H01B3/12 303 ,  C04B35/00 J
F-Term (42)：
4G030AA07 ,  4G030AA10 ,  4G030AA11 ,  4G030AA12 ,  4G030AA16 ,  4G030AA25 ,  4G030AA35 ,  4G030AA37 ,  4G030BA09 ,  4G030CA01 ,  4G031AA03 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA28 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA05 ,  5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH05 ,  5E001AH06 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ02 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303BA03 ,  5G303BA06 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB18 ,  5G303CB30 ,  5G303CB35 ,  5G303CB40 ,  5G303CB41 ,  5G303CB43
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 誘電体磁器
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-132851   Applicant：太陽誘電株式会社
  • Euro. Ceram. 2, vol.3, pp.1909-13 (1991)
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM