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J-GLOBAL ID：200903063183421503
微細構造発光素子作製方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992083174
Publication number (International publication number)：1993251740
Application date： Mar. 05, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】 リソグラフィー技術を応用して、ナノメータ微細構造に伴う量子効果を利用した発光素子を制御性よく作製する。【構成】 リソグラフィー技術により数百ナノメータ程度の微細構造を形成した後に、これを表面から酸化させることにより、半導体領域を数ナノメータ程度まで細らせることで微細構造発光素子を制御性よく作製する。
Claim (excerpt)：
微細構造を有する半導体発光素子の作製方法において、半導体基板表面にリソグラフィー技術により微細パターン転写を行った後、該パターン形成面から所望の深さだけ酸化させ、半導体領域をさらに細くさせることを特徴とする半導体発光素子作製方法。
IPC (2)：
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