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J-GLOBAL ID：200903063186312748

熱電変換材料製造方法及びその装置

Inventor： 野田泰稔 ,  高橋正明 ,  北川裕之 ,  北村寿宏 ,  篠原嘉一
Applicant, Patent owner： 島根大学長
Agent (1)： 大塚 博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001018643
Publication number (International publication number)：2002223010
Application date： Jan. 26, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】 本発明は,熱電変換材料の溶融原料から層状構造に配向した高性能熱電変換材料の板状材料,基板上への熱電変換材料の成長,エピタキシャル成長,p-n接合,熱電変換素子を確実に,安定して行なうことができる。【解決手段】 成長ボート2を用いて,原料室25で溶融した原料28をスライダ21に形成された成長室22又は成長室22内に配設した鋳型に注ぎ,徐冷又は急冷によって凝固させて結晶を成長させ,板状の熱電変換材料を作製し,面内に高度に配向した高性能熱電変換材料を作製する。

Claim (excerpt)：

真空又は不活性ガス,水素ガス等のガス流れの雰囲気中に設置された成長ボート内に形成された原料室で熱電変換材料原料を溶融し,次いで,溶融原料の予め決められた所定量を前記原料室で保持又は前記原料室から成長室へ注入し,前記溶融原料を前記原料室又は前記成長室において徐冷又は急冷して凝固させ,結晶方位が高性能を有する方向に配向した熱電変換材料を得ることから成る熱電変換材料製造方法。

IPC (5)：

H01L 35/34 ,  C30B 19/00 ,  C30B 29/46 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/32

FI (5)：

H01L 35/34 ,  C30B 19/00 S ,  C30B 29/46 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/32 A

F-Term (8)：

4G077AA02 ,  4G077BE26 ,  4G077CG01 ,  4G077EA08 ,  4G077ED06 ,  4G077QA02 ,  4G077QA26 ,  4G077QA71