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J-GLOBAL ID：200903063193562997

量子バリア半導体光素子

Inventor： 入川 理徳 ,  岩瀬 正幸
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 齋藤 義雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991320977
Publication number (International publication number)：1993007051
Application date： Nov. 08, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】 オージェ効果に起因して発生するホットエレクトロンに対し十分な反射機能をもち、優れた温度特性、電流特性(低閾値)を発揮することのできる量子バリア半導体光素子を提供する。【構成】 ダブルヘテロ構造を含む光素子において、入射電子波とポテンシャルによる反射電子波とが強め合う位相となるように、歪超格子層10、20からなる共鳴散乱形の箱型ポテンシャル電子反射層が、p-クラッド層6と活性層3との間、p-クラッド層6内、第一活性層3と中間クラッド層4との間、第二活性層5とp-クラッド層6との間、中間クラッド層4内などに設けられる。【効果】 オージェ効果に起因して発生するホットエレクトロンに対しても有効な反射機能をもつMQBが得られるので、オージェ効果に起因するオーバフロー電流が抑制され、長波長帯LDのごとき光素子の場合は、これの温度特性が向上する。低閾値電流で温度特性の優れたDCC-LDも実現できる。

Claim (excerpt)：

少なくとも一層のGaInAs(P)層をもつ活性層が、n-クラッド層とp-クラッド層との間に挟まれているダブルヘテロ構造を含み、入射電子波とポテンシャルによる反射電子波とが強め合う位相となるように、歪超格子層からなる共鳴散乱形の箱型ポテンシャル電子反射層が、p-クラッド層と活性層との間またはp-クラッド層の内部に設けられていることを特徴とする量子バリア半導体光素子。