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J-GLOBAL ID:200903063193992193
太陽電池及び太陽電池の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
好宮 幹夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998100349
Publication number (International publication number):1999284212
Application date: Mar. 26, 1998
Publication date: Oct. 15, 1999
Summary:
【要約】【課題】 高効率で高生産性の薄型太陽電池とその製造方法を実現する。【解決手段】 P型シリコン基板にPN接合層と表面電極と裏面電極を形成して成る太陽電池であって、P型シリコン基板の裏面に、ボロン電界層とSiO2 裏面保護膜と、格子状のアルミニウム電界層を有し、格子状のアルミニウム電界層に対応する格子状の裏面電極を有することを特徴とする太陽電池。およびP型シリコン基板にPN接合層を設け、表面電極と裏面電極を形成する太陽電池の製造方法において、裏面電極を形成する前に、P型シリコン基板の裏面に、ボロン電界層とSiO2 裏面保護膜を形成し、次いで格子状のアルミニウム電界層を形成した後、格子状のアルミニウム電界層に対応して格子状の裏面電極を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
Claim (excerpt):
P型シリコン基板にPN接合層と表面電極と裏面電極を形成して成る太陽電池であって、P型シリコン基板の裏面に、ボロン電界層とSiO2 裏面保護膜と、格子状のアルミニウム電界層を有することを特徴とする太陽電池。
FI (2):
H01L 31/04 H
, H01L 31/04 F
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開平4-044277
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光電変換素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-255348
Applicant:シヤープ株式会社
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光電変換装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-268027
Applicant:シヤープ株式会社
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