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J-GLOBAL ID：200903063199614220

微細パターン形成材料および微細パターン形成方法

Inventor：
高橋 清久

About 高橋 清久

, 
高野 祐輔

About 高野 祐輔


Applicant, Patent owner：
クラリアント インターナショナル リミテッド

About クラリアント インターナショナル リミテッド


Agent (2)： 鐘尾 宏紀 ,  野口 武男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003165972
Publication number (International publication number)：2005003840
Application date： Jun. 11, 2003
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：
【課題】微細パターン形成材料を用いて実効的にレジストパターンを微細化する方法において、現像欠陥の発生が低減され、レジストパターン上に形成された硬化被覆層の層厚がベーク温度を高くしても薄くまたベーク温度に係わらずほぼ一定の厚さにする。【解決手段】6インチ以上の基板1上に化学増幅型フォトレジストからなるレジストパターン3を形成し、このパターン3上に水溶性樹脂、水溶性架橋剤および水または水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を含む微細パターン形成材料を塗布し被覆層4を形成した後、前記化学増幅型フォトレジストパターンと前記被覆層をベークし、ベーク後被覆層を現像することにより微細化されたパターンを形成する方法において、前記微細パターン形成材料の前記水溶性樹脂として、DSC曲線において融解熱ピーク温度が上記ベーク工程におけるベーク温度より高く、且つ130°C超である水溶性樹脂を用いて微細化されたパターンを形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
6インチ以上の基板上に化学増幅型フォトレジストからなるレジストパターンを形成する工程と、このパターン上に水溶性樹脂、水溶性架橋剤および水または水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を含む微細パターン形成材料を塗布し被覆層を形成する工程と、前記化学増幅型フォトレジストパターンと前記被覆層をベークする工程と、ベーク後被覆層を現像する工程を含む微細パターンの形成方法において、前記微細パターン形成材料の前記水溶性樹脂が、DSC曲線において融解熱ピーク温度が上記ベーク工程におけるベーク温度より高く、且つ130°C超である水溶性樹脂であることを特徴とする微細パターンの形成方法。
IPC (2)：
G03F7/40 ,  H01L21/027
FI (3)：
G03F7/40 511 ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/30 575
F-Term (6)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096HA05 ,  2H096LA30 ,  5F046LA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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