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J-GLOBAL ID：200903063206221205

半導体ウエハの電気的特性の測定方法

Inventor：
稲場 均

About 稲場 均


Applicant, Patent owner：
三菱マテリアル株式会社

About 三菱マテリアル株式会社


Agent (1)： 小杉 佳男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998313062
Publication number (International publication number)：2000138266
Application date： Nov. 04, 1998
Publication date： May. 16, 2000
Summary：
【要約】【課題】 ウエハ状態における半導体素子の大電流領域での静特性を測定することのできる半導体素子の電気的特性の測定方法を提供する。【解決手段】 先端に導電性充填剤が混合された弾性体12が取着されたプローブ11,11を半導体ウエハ14上の半導体素子15のAl電極15aに接触させて、プローブ11,11に接続されたテスタ13により半導体素子15の電気的特性を測定する。
Claim (excerpt)：
半導体ウエハ上に形成された半導体素子の電気的特性の測定方法において、導電性充填剤が混合された弾性体が先端に取着されてなるプローブが接続されたテスタを用い、該プローブの先端を半導体ウエハに接触させて該プローブが接続されたテスタにより該半導体ウエハ上の半導体素子の電気的特性を測定することを特徴とする半導体ウエハの電気的特性の測定方法。
IPC (3)：
H01L 21/66 ,  G01N 27/00 ,  G01R 1/067
FI (3)：
H01L 21/66 B ,  G01N 27/00 Z ,  G01R 1/067 G
F-Term (15)：
2G011AB00 ,  2G011AE03 ,  2G011AF01 ,  2G060AA09 ,  2G060AF20 ,  2G060AG11 ,  2G060EB08 ,  2G060EB09 ,  2G060GA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AD22 ,  4M106BA01 ,  4M106CA04 ,  4M106DD09 ,  4M106DH16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 半導体集積回路測定用プローバ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-042647   Applicant：日本電気株式会社
  • 特開平3-211745
  • 特開平3-293742
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