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J-GLOBAL ID：200903063224124306
磁性積層体および磁気抵抗効果素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991354673
Publication number (International publication number)：1993166629
Application date： Dec. 19, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：
【要約】【構成】 Ni<SB>x</SB> M<SB>1-x</SB> (MはFeおよび/またはCoを表し、xは0<x<1の関係を満たす。)の組成の磁性薄膜と、Ag薄膜とを交互に積層する。磁性薄膜およびAg薄膜は、好ましくは分子線エピタキシー法で成膜し、その厚さは、好ましくは、それぞれ4〜20A および2〜60A とする。積層体は、面内に磁化容易軸をもち、面内の角型比0.5以下であり、反強磁性を示す。【効果】 従来の反強磁性型の積層体と比較して、数kOe程度と低い磁場でも磁気抵抗変化を示し、0.01〜20kOe の範囲で1〜15%の任意の磁気抵抗変化率を得ることができる。
Claim (excerpt)：
Ni<SB>x</SB> M<SB>1-x</SB> (MはFeおよび/またはCoを表し、xは0<x<1の関係を満たす。)の組成の磁性薄膜と、Ag薄膜とが積層されており、面内に磁化容易軸をもち、面内の角型比Br/Bsが0.5以下であることを特徴とする磁性積層体。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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