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J-GLOBAL ID：200903063226236268

記憶装置

Inventor： 中井 康介 ,  宮沢 章一 ,  小川 仁 ,  高橋 英人 ,  山本 克己 ,  仁科 昌俊
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 富田 和子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996235219
Publication number (International publication number)：1998078853
Application date： Sep. 05, 1996
Publication date： Mar. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 記憶装置内でバッファメモリを介して転送されるデータの誤りを充分に高い精度で検出する。【解決手段】 本発明に係る磁気ディスク装置では、生成および検査する冗長データの長さが異なる複数のCRC回路112,141,110,142と、CRCマネージャ109を有し、CRCマネージャ109が、バッファメモリ116で格納または読み出されるデータを、そのデータの種類や磁気ディスク装置の動作状態により定まるCRC回路で処理させる。

Claim (excerpt)：

データが格納される記憶部と、自装置内で転送されるデータが一時的に格納されるバッファメモリと、当該バッファメモリに接続され当該バッファメモリのデータが転送される、前記記憶部およびバッファメモリ間の経路を含む自装置内の複数の転送経路とを有する記憶装置であって、前記各転送経路で転送されるデータに処理を施し、前記バッファメモリから読み出され前記各転送経路で転送されるデータの誤りを、異なる精度で検出する複数の誤り検出手段を有することを特徴とする記憶装置。

IPC (7)：

G06F 3/06 305 ,  G06F 3/06 ,  G06F 3/06 301 ,  G06F 11/10 330 ,  G06F 12/16 320 ,  G11B 20/18 520 ,  G11B 20/18 544

FI (7)：

G06F 3/06 305 A ,  G06F 3/06 305 C ,  G06F 3/06 301 R ,  G06F 11/10 330 B ,  G06F 12/16 320 F ,  G11B 20/18 520 E ,  G11B 20/18 544 Z