シリコン発光装置とその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：園田吉隆 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000599103
Publication number (International publication number)：2002536850
Application date： Feb. 07, 2000
Publication date： Oct. 29, 2002
Summary：

【要約】本発明はシリコンの少なくとも1つの活性領域を有する光導波装置と前記活性領域で光子を生み出す手段に関する。本発明によると、光子を生み出す手段は、活性領域で形成されたダイオード(22c、22d)を具備する。さらに、その装置はダイオードで注入されたキャリアを閉じこめる手段を具備し、活性領域のシリコンは単一結晶から成っている。

Claim (excerpt)：

シリコンの少なくとも1つの活性領域(22)を有する光導波装置と前記活性領域で光子を生み出す手段であって、光子を生み出す手段は、活性領域で形成されたダイオード(22c、22d)を有し、当該装置は、当該ダイオードによって注入されたキャリアを閉じこめる手段を有し、当該活性領域での当該シリコンは、単一結晶から成る。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 27/14

FI (2)：

H01L 33/00 A , H01L 27/14 Z

F-Term (12)：

4M118AA10 , 4M118AB05 , 4M118EA01 , 4M118FC03 , 5F041CA03 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA14 , 5F041CA33 , 5F041CA57 , 5F041CA91 , 5F041CB15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

エルビウムにてドープされた光学デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-158555 Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
シリコン発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-195844 Applicant：日本電信電話株式会社
光増幅装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-143644 Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー

Show all

Return to Previous Page