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J-GLOBAL ID：200903063254506092

絶縁ポリシリコン・ラインド・キャビィティを製造する半導体加工法、及びキャパシタを作る方法

Inventor： トゥルン・ティー・ドーン ,  アラン・イー・ロルーザ ,  チャールズ・エイチ・デニソン
Applicant, Patent owner： ミクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド
Agent (1)： 湯浅 恭三 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993090114
Publication number (International publication number)：1994053434
Application date： Apr. 16, 1993
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【構成】 ウェーハ10上にポリシリコン含有構成要素に対して電気接続される面積15b及び選択的にエッチングすることができる第一材料層18を提供し;所定の開口横寸法を有する接触開口部20提供し;ポリシリコンの層22を蒸着させて、上記面積と接触させるがこのとき該選択された厚さは開口寸法の1/2未満でありかつポリシリコンによって接触開口部が完全に充填されなくその結果として外側に開口しているポリシリコン・ラインド・キャビィティ24が画定されるようにし;選択エッチング可能なネガ型フォトレジスト材料で被覆してキャビィティ24を完全に充填し;レジストとポリシリコンをレジストが溶解でき且つpHが10以上である現像成分を含むスラリーを用いて、第一材料層の上面まで化学的機械的に研磨し;キャビィティ24からレジストを選択的にエッチングする。【効果】 キャビィティ中にスラリー残留物を残さない。

Claim (excerpt)：

以下の工程:即ち、半導体ウェーハ上に、ポリシリコン含有構成要素に対して電気接続される面積を提供する工程;半導体ウェーハ上に、上面を有し且つポリシリコンに比べて選択的にエッチングすることができる第一材料層を提供する工程;第一材料層中において、選択された開口横寸法を有する接触開口部を上記面積に対して提供する工程;第一材料層上に且つ接触開口部の中に、選択された厚さまでポリシリコンの層を蒸着させて、上記面積と接触させる工程、このとき該選択された厚さは開口寸法の1/2未満であり、ポリシリコンによって接触開口部が完全に充填されなくその結果として外側に開口しているポリシリコン・ラインド・キャビィティが画定される;該ウェーハを、ポリシリコンに比べて選択的にエッチングすることができる第二材料で液体スピンコーティングして、ポリシリコン・ラインド・キャビィティを該第二材料で完全に充填する工程;第二材料とポリシリコンを、第一材料層の上面まで、化学的機械的に研磨する工程;及びポリシリコン・ラインド・キャビィティから、ポリシリコンに比べて、第二材料を選択的にエッチングする工程;を含む半導体加工法。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 27/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-228370
  
• 特開平4-000755
  
• 特開平2-146732
  
• 特開平2-278822