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J-GLOBAL ID：200903063263851967
半導体レ-ザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993242884
Publication number (International publication number)：1995106687
Application date： Sep. 29, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 電流をブロックすると同時に静電容量を低減させ高周波特性を向上させる電流ブロック構造を有する半導体レ-ザを提供する。【構成】 半導体レ-ザは、n-InGaAlPクラッド層12と、MQW活性層14と、p-InGaAlPクラッド層16と、ストライプ状に形成されたp-InGaAlPクラッド層18と、アクセプタ濃度5×1015cm-3のp-GaAs層201とドナ-濃度4×1017cm-3のn-GaAs層202とからなるpn接合構造の電流ブロック層20と、p-GaAsコンタクト層21とを有する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に順次形成された第1のクラッド層と活性層と第2のクラッド層と、上記第2のクラッド層上にストライプ状に形成された第3のクラッド層と、上記第2のクラッド層上かつ上記第3のクラッド層の両側に形成された電流阻止層とを含む半導体レ-ザであって、上記電流阻止層は、p型半導体層とn型半導体層からなる少なくとも一つの接合構造を有しており、上記p型半導体層または上記n型半導体層の少なくとも一方の不純物濃度が4×1016cm-3以下であることを特徴とする半導体レ-ザ。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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